Abstract
深次微米的製程使得我們可以在小小的面積上放置數以百萬計的邏輯閘，邏輯閘在切換時，會產生電流的需求，而在晶片運作時的每一個瞬時會有不同的邏輯閘一起切換。也會產生不同大小的瞬時電流，其中最大的一個就稱之為最大瞬時電流。 晶片最大瞬時電流的問題在深次微米的製程下，已經變得愈來愈嚴重。晶片最大瞬時電流的問題會對晶片產生電流壓降，損害晶片中的線路等問題而使得晶片的效能降低或是功能失常。為了要避免這些問題的產生我們必須能夠精確的評估晶片中正確瞬時電流的值。 而在本篇論文中，我們提出一個新的靜態最大瞬時電流分析方法能夠有效的在短時間內，分析出晶片運作時有可能產生的最大的瞬時電流。這是一個靜態評估的方法，而它主要是根據邏輯閘間的一種相互關係來評估的而在本篇論文中我們稱之為互斥切換關係。在本篇論文中，我們利用新的方法找出邏輯閘間互斥切換關係，再利用邏輯閘間互斥切換關係我們很有效率的把問題以條件圖來模組。接著我們使用條件圖的演算法得到這一個問題的上限解。經過了實驗的結果，我們發現利用邏輯閘間互斥切換關係的方法的確可以在短時間內，分析出晶片運作時有可能產生的最大的瞬時電流 本篇論文最大的貢獻在於本篇論文很快的利用邏輯閘間互斥切換關係，找出晶片最大瞬時電流的上限值。