Abstract
由於非對稱型雙閘極電晶體的臨界電壓模型仍未完善，除了定義上有待修正以外，目前為止被提出的模型並未考慮到因維度縮小導致的量子效應問題。本論文中，將運用半導體物理之計算與MEDICI模擬軟體討論前非對稱型雙閘極臨界電壓模型的恰當性與量子效應造成的影響，將模型修正項以一半導體厚度與絕緣層厚度的參數表示，再輔以模擬軟體驗證之，以期能得到一易於使用的臨界電壓模型。與此則元件設計者將易於估算元件設計時所需要的元件參數。
- Title
- 非對稱型雙閘極電晶體的臨界電壓模型
- Translated title
- 非對稱型雙閘極電晶體的臨界電壓模型
- Creators
- 劉守恩
- Contributors
- 連振炘 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2006