Abstract
本論文的主旨，在探討在低溫下利用化學氣相沉積系統於二氧化矽基板上沉積摻雜與非摻雜複晶矽薄膜成長。在低溫下利用氫稀釋矽烷法在電子迴旋共振式化學氣相沉積系統中所沉積出的複晶矽薄膜，其晶粒具有樹葉狀及錐尖向下之圓錐狀的觀且晶粒成長有優選方向。由高解像能電子顯微鏡可觀察到在沉積複晶矽薄膜時，會出現一層由非晶矽與微晶矽混合組成的過渡層。在磷摻雜複晶矽方面，不同的磷化氫與矽甲烷的氣體流量比用以達成不同的雜質摻雜量。電子顯微鏡與高解像電子顯微鏡用以檢視多晶矽膜的晶相與界面。由二次離子質譜儀所測得摻雜濃度與由霍爾量測儀所測得之載子濃度兩者之間的差異，我們相信在磷摻雜複晶矽薄膜中，磷原子將會在複晶矽之晶界上發生偏析。此外，為改善表面平坦度及獲得更大的晶粒，我們利用不同的生長條件來進行複晶矽薄膜之二次成長並獲得類似半球形的晶粒表面。