Abstract
本論文所用的樣品, 乃由射頻濺鍍(r.f. Sputtering) 法製造而成。實驗中, 我們將氬(Ar), 氫(H ) 及四氟化矽(Si F ) 等氣體按比例送入濺鍍室濺鍍, 而製成非晶形矽氫合金(a–Si : H alloy) 及非晶形矽氫氟合金(a–Si : H: F alooy)。我們利用導導率(Conductiv-ity), 光導電率(Photocohductivity), 紅外線光譜(Infra-RedSpectrum)及光學的吸收(Optical absorption) 等測量方法, 來決定樣品的性質。由紅外線光譜, 可證明薄膜含有矽氫鍵(Si–H bond)及矽–氟鍵(Si–Fbond) 。光導電率的測量可得到薄膜的活化能(activation energy) 。光學的吸收, 可讓我們了解薄膜的能隙(gap) 。所有測量均告訴我們非晶形的氫氟合金有較低狀態的密度(density of states) 。同時由導電率及紅外線光譜中, 可證明非晶形矽氫氟合金為一熱阻抗(heat resisitant) 。所以非晶形矽氫氟合金在電子元件製造上是一非常可行的材料。