Abstract
利用濺鍍系統以及電漿輔助化學氣相蒸鍍系統準備非晶形矽的薄膜。然後將這些試片放入氮爐、氫爐及紅外線瞬時加熱爐中作退火處理。變化退火處理的溫度、時間，觀察其影響。利用穿透式電子顯微鏡分析這些薄膜在退火處理後再結晶的情形，並利用歐傑電子光譜分薄膜的化學組成。拉曼散射光譜也應用於非晶形及多晶形物質的分析，由此可確定其再結晶的過程。此外我們對多晶形矽在元件上的應用特別有興趣。所以我們先作了一個簡單的二極體，測試它的電流對電壓的特性曲線在退火處理後的變化，尋找一個最理想的退火處理方法而能夠應用於電子元件的製造。不僅可得到好的電性，並且兼具即省時，方便又經濟的優點。