Abstract
本論文主要是研究非晶形矽的鎳鈀矽化物一些性質。我們以射頻濺法生成非晶形矽，在加熱4000℃時，可明顯的看出在表面上有為數不多的氣泡形成，但加熱至 600℃時，發現氣泡均勻分佈在整個平面，氣泡的大小略同，數量很多，數量很多，由紅外線吸收光譜知道氫氣含量隨著溫度增加而減少，再以拉塞福背向散射光譜（RBS） 觀察，當加熱至600 ℃氫氣含量維持在8％ 左右，而加熱700 ℃時，降低至7.5％ 而800℃ 時，降至5?6％且內部及外側量變小中間部份最多。以濺鍍法在非晶矽形上鍍上一層鈀金屬，加熱形成矽化物，發現在400℃?600℃之間，矽化物的形成厚度與時間為拋物線關係，成長方式以擴散為主，活化能約1.89ev，比較在單晶上生成矽化物所需1.5ev為高。使用無電極電鍍法在非晶形矽上鍍鎳與鍍鎳之前，先將非晶形矽基板浸入Pdcl2+HCl的溶液中，附著約100?200A 的鈀，加熱形成的鈀化物，再以無電極電鍍鎳兩者比較，發現含鈀矽化物時□接合力變好□鎳矽化物的穿透力變小。