Abstract
由於非晶碳化矽比非晶矽，擁有更寬的能隙，且在製造過程中，可利用碳含量的改變來控制能隙寬，比非晶矽更宜製成發光二極體。在此欲利用數值方法來分析，以達到了解其物理特性的目的；在此，元件的主要結構為ｐ－ｉ－ｎ二極體，而在ｐ－ｉ和ｉ－ｎ的介面引進一層所謂熱載子穿透注入層的絕緣體，來增進載子注入效率。在實際過程中共使用四種數值方法，加樂津有限單元法、朗哥－古塔方法，及自行發展一組投射法和鬆弛法，但很不幸的，並未獲得滿意的數值結果；在第四章中分析可能的影響因素，並提出其他簡化模型以供參考。