Abstract
本研究利用火燒法，在(100) 矽基板上生長鑽石膜，反應氣體為乙炔和氧氣，有時添加丙酮或甲烷，希望能提高鑽石薄膜的再現性和均勻度。實驗的參數包括乙炔對氧氣的流量比、基板成長位置、基板溫度、氣體總流量、添加丙酮或甲烷的量、均影響到鑽石薄膜的結晶性質、表面形態及成長速率，利用FITR、XRD 、SEM 、RAMAN 等技術分析鑒定薄膜的性質。實驗結果顯示，鑽石薄膜的生長應屬於層狀的生長機構；當乙炔對氧的比例為1 時，所得的薄膜品質最佳，成長速率亦隨著溫度上升而增加，在980 ℃時，高達0.86 um/min ；在高的總流量時，均勻度較差，但成長速率較高；丙酮含量會隨著氣瓶壓力減少而有遞增的趨勢，對鑽石的穩定成長，具有很大的影響力，在氣瓶壓力為4?8kg/cm 時，丙酮含量的變化範圍在7%?12% （相對於流出的氣體總量）之間，鑽石成長的再現性最高；添加甲烷，可改善薄膜品質及均勻度，但降低成長速率，形成不連續的鑽石晶體。