Abstract
利用磁控濺鍍制造出附著性好、性質優良、厚度均勻的鑽石膜是我們的目的，經過初步的實驗，目前已制出含氫的非晶質碳膜( -C:H)。本實驗利用X 光繞射儀、RAMAN 光譜分析產生的相， -step 測膜厚，傅立葉轉換紅外線光譜儀用來分析所含的官能基或有極性的鍵結，掃描式電子顯微鏡觀察試片表面之形狀，3M tape 則用以測膜之附著性。溫度及偏壓對膜的厚度、含氫程度、結構及附著性具有很大的影響，溫度高則反應較易發生，氫含量較少，膜之附著性較好，偏壓則影響離子抵達基板的種類及能量。拉曼光譜顯示出膜中含有SP 及SP 的鍵結, 當溫度升高時, SP 明顯地增加, 而且膜中鍵結的規則性增加, 光譜峰變得較陡。FTIR顯示在較高溫時，飽和的C-H 鍵減少，此即溫度之效應造成氫及碳氫物的釋放，膜中的氫含量減少。附著性在高溫也呈現較好之狀況，表示溫度促進膜與底材的鍵結，而有較好的附著性，偏壓則似乎對此不造成影響。