Abstract
本實驗利用直流磁控濺鍍鎗(DC Magnetron Sputtering Gun) 、以石墨為靶，通入甲醇蒸氣與氬氣產生電漿，製作出厚度均勻，附著性佳，性質優良的類鑽石薄膜 (DLC)。備製得之類鑽膜以α-step 測量膜厚，以FTIR分析其中鍵結形態，以拉曼光譜(Raman Spectrum)分析膜中結構的規則程度，以四腳探針測膜之面電阻，SEM 觀察膜表面情形，以3M膠帶做附著性量測。FTIR結果顯示膜中碳主要以sp□形式存在，sp□的碳含量很小；此外實驗製作出之膜，氫含量非常少。基板溫度一方面提供到達基板的活化基熱能，加速其反應速率，另外一方面會使膜中較弱的鍵結因熱振動而打斷，使粒子逸出，留下較穩定不易打斷之鍵結，且造成膜厚的減小。基板偏壓為正時，會吸引大量的電子到達基板，介入碳碳間的鍵結反應，使其鍵結較不穩定，易因熱振動而打斷；基板偏壓為負時，則造成Ar﹢及 H﹢到達基板，Ar﹢具有較大的動量，撞擊膜表面會使膜內鍵結扭曲及結構局部缺陷，而 H﹢則對膜造成侵蝕(etch)，且提高膜中氫含量。此系統已做過三個系統的實驗，其使用氣體皆不相同，經比較後得到以下結論：1.本系統所製之膜因通入氣體不同而在氫含量sp□及sp□之碳存在比例，等性質上有所不同。2.在不同氣氛下之鍍膜以sp□為主。3.膜中氫的來源主要由電漿中之 H﹢到達基板而來，以碳氫活化基形式到達之氫易因熱振動及Ar﹢的撞擊而逸出。