Abstract
LED晶片的接面溫度幾乎左右了LED產品的一切性質，如何有效地散熱成為LED產業發展的關鍵。有鑑於此，希望由實驗室自行開發之類鑽碳薄膜做為LED散熱基板的助益層並配合各種薄膜製程技術，有效地降低LED晶片的接面溫度，提升產品之可靠性。 以實驗室自組物理氣象化學沉積(PECVD)系統沉積類鑽碳薄膜，並利用LED半導體特性，分析LED熱平衡溫度置於不同製程條件電路板之關係，藉此研判各製程條件對電路板散熱性質的影響。實驗主要分為以下三個部分:研究改變類鑽碳製程偏壓，膜厚對電路板散熱性質之影響。輔以拉曼光譜分析類鑽碳薄膜鍵結組成，與散熱數據作一比較，對其關聯性作一討論。研究銅電極厚度對基板散熱性質之影響。細分為直接濺鍍銅電極，及結合電鍍、黃光技術增厚銅電極至數十微米兩部分。並以最佳參數製作電路基板，與多種市售基板做散熱性質比較，討論造成各種基板散熱性質差異之可能原因。實驗過程中發現銅電極與類鑽碳膜間存在著附著性不佳的問題，為解決此問題，嘗試加入濺鍍金屬鉻薄膜當作中介層，並以奈米刮痕儀分析鉻中介層的加入對銅膜附著性的改善程度。