Abstract
在元件閘極氧化層厚度快速所小的趨勢下，隨之產生的閘極漏電流卻日益嚴重。因此，尋找新型閘極介電層材料以替代原先二氧化矽介電層，是當今非常重要的一個課題。
- Title
- 高介電常數閘介電層應用於金氧半電容特性研究
- Translated title
- 高介電常數閘介電層應用於金氧半電容特性研究
- Creators
- 陳以勛 (Author)
- Contributors
- 張廖貴術 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English