Abstract
研究目的：超大型積體電路中的絕緣問題始終無法突破，蓋傳統的PN逆偏絕緣及LOCOS 絕緣法均有其重大缺點。本論文乃研究一種新的絕緣方法，希望以高劑量的氧離子佈植技術在矽晶內部造成完美的絕緣層，而其預層則仍保有性質良好的矽單晶層，以供電子元件製一于其上。資料來源：「VLSI ELECTRONICS」一書中之第四冊第一章及其後附錄之參考資料。研究方法：?以掃瞄式電子顯微鏡觀察SIMOX 結構之橫截面並估計此結構各層之厚度；?虫倥透式電子顯微鏡觀察此結構內部之微觀情形；?以歐傑電子譜儀分析此結構之化學組成縱深分佈；?以赫爾效應測試頂層矽晶薄膜之電阻係數、載子濃度及埔子游動率；?在矽晶薄膜上做一個電阻及二極體，觀察其性能是否良好。研究結果：?SIMOX口各層結構均已形成。?結構所存在之微觀景像與理論預測者相符。?表面之矽晶薄膜業經證實具良好之半導體性質。