Abstract
矽化鉬與砷化鎵之消特基能障系統在本文裡有詳細的討論，其與矽化鉬薄膜的結構和介面的特性有相關，二矽化鉬比其他種矽含量組成在高溫時較為穩定，它可以在 800℃退火之後仍保有很好的電性，並且此種消特基二極體的特性並不受矽化鉬薄膜的結構是單晶或是非晶體而影響。我們也使用DLTS來作介面缺陷的分析，發現在介面中有四個電子捕捉，其中兩個是晶片原有的，另兩個是熱處理造成的，這四個電子捕捉隨退火處理的溫度升高而濃度加增，並對電性造成退化的影響。最後，我們得到的結論是矽化鉬與砷化鎵系統能保有很好的消特基二極體特性，而且可以用來作自動對準的金屬半場效電晶體。