Abstract
絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)由於結合了金氧半電晶體的絕緣閘結構及雙極性電晶體的導通特性，因此具有易於驅動及高輸出電流密度的特性。然而由於其結構中寄生了閘流體的結構，因此在導通電流過大時會產生閂鎖現象，而使元件失去閘極控制的能力，最後造成元件的破壞，必須加以避免。本次實驗的目的為研製高功率的絕緣閘雙極性電晶體，因此高導通電流及高崩潰電壓，將是此次設計的最終目標。在本次的實驗中利用不同的通道離子佈植劑量來觀察元件特性的改變，由實驗的結果顯示出，隨著通道離子佈植劑量的增加使N+下方的並聯電阻降低，而增加了元件抵抗閂鎖現象的能力。另外在崩潰電壓的設計上，發現只有保護環(guard ring)的元件接面終結設計，並無法達到600V的耐壓，因此要提高崩潰電壓必須在保護環加上場板(field plate)，使元件的崩潰電壓能達到原先設計的要求。