Abstract
設計合成單牙胺類配位基A3、B3、C3(LiN(Cy)Ar，Ar =2, 4, 6-三甲基苯、2, 6-二乙基苯、2, 6-二異丙基苯)，與雙牙氮磷配位基(F、G)，並利用改變配位基上取代基的大小來改變其立體阻礙。將配位基與鈦、鋯等金屬起始物進行反應，來合成所需的低配位金屬錯化合物，隨後在氮氣環境下進行還原，希望可以利用其高立體阻礙來與小分子氮氣進行活化，進行氮氣的固定。除了鈦與鋯外，也將所合成出來的高立體阻礙配位基與氯化亞鐵起始物進行反應，來合成出低配位的鐵金屬錯化合物。隨後將所得到的鐵錯合物與一氧化氮進行反應，希望藉著空間上的壓縮，使錯合物上的一氧化氮更接近，希望可以進一步研究一氧化氮的自身氧化還原現象及其性質。 除了上述單核金屬錯化合物外，也合成雙核金屬四鍵錯化合物(M2Cl4(NH2Dipp)4, M = Mo, W)，希望進一步利用適當的鹼將所得錯合物氮上的氫拔掉後，再離去金屬上的四個氯原子，最後可以得到一個立體阻礙很大的雙核金屬-金屬四鍵平面錯化合物(L2MML2, L = NHDipp)，再利用其高立體阻礙的特性來對小分子進行活化的選擇。