Abstract
近年來，石墨烯因具備優良的電性及高光學穿透率，使得石墨烯在應用於透明導電膜這一途備受期待。與價格昂貴且稀有的ITO相比，石墨烯渴望能成為更廉價、更薄的替代品。本論文已能成功的利用化學氣相沉積法成長大面積石墨烯於銅箔基板，且能配合不同種方法，將石墨烯之片電阻值降至低於100 Ω/□，光穿透率維持約90 %，已可將石墨烯作為透明電極應用於其他元件上。其一，我們利用TFSA分子吸附摻雜石墨烯，並使用疊層之結構，能使片電阻值降低至40 Ω/□，而光穿透率為90 %。其二，我們結合TFSA分子及熱退火處理之方式，使片電阻值降低至85 Ω/□，光穿透率為90 %。此外，藉由Ni基板成長多層石墨烯，利用網格狀結構並結合熱退火及TFSA分子摻雜，使片電阻值降低至91 Ω/□，且光穿透率為86 %。 在應用方面，在製程上我們已經掌握各步驟之技術，以石墨烯作為透明電極，來製作觸控元件。此外，我們也將石墨烯透明電極作為觸控開關及其他可撓性元件，除了應用石墨烯所具有之高光穿透率外，同時也展現石墨烯優異的撓曲特性。