Abstract
本研究是以實驗方法探討加馬射源對DRAM的輻射效應。以評估做為輻射偵檢器的可能性，及DRAM位於加馬射源環境中可靠度評估。實驗測試項目分成內部參數(資料樣本)及外部參數(總劑量及劑量率效應及DRAM的密度，廠牌，除蓋，入射角度)，並以退火實驗，探討DRAM特性回復情形。實驗結果可歸納成以下四部分： 1、由資料樣本及總劑量效應實驗，推測DRAM經加馬射源照射後不具機制上的軟性失誤而為硬性失誤。 2、藉由實驗所得軟性失誤最大值，表此時即將迅速產生硬性失誤，由這最大值的劑量，可做為評估不同密度，廠牌DRAM的抗加馬射源能力的重要數據。 3、藉由退火實驗，可發現在Tunnel anneal測試中，DRAM經由180天可回復原特性，而Thermal anneal也有使DRAM特性回復的功用，由後者的實驗也可驗證在高劑量率照射下，有較多的熱退火功用，使得需較高劑量的累積才發生起始錯誤。 4、在與阿爾法射源比較上，除蓋與入射角度對加馬射源影響不大，對阿爾法粒子則影響極劇，而廠牌及密度對兩種射源均有很大的影響。 5、若將此現象應用於偵檢器時，由於軟性失誤數目隨劑量呈現非線性改變，且劑量達數十Krads時就完全為硬性失誤，所以不具實用價值。且在不同廠牌及密度時差異性很大，將會有校正上的困擾。不過不用除蓋且無入射角度的差異將是優點所在。雖然經過 180天的退火能將失誤去除，但在實用上還是有所不便。