Abstract
本論文主要研究內容為DPS系統的製程參數對蝕刻率及均勻度之影響, 而我們選定的參數為Source Power, Bias Power,Cl2的流量及Chamber內的壓力四種, 透過對這四個參數的研究, 我們對DPS的製程能力有更進一步的了解 o DPS系統為目前工業界所廣泛使用的機台之一, 我們希望透過對它一系列的研究而了解目前生產線上的機台的製程能力o 在本論文中, 首先要討論傳統電漿源的製程極限及缺點, 其次是探討目前最被廣泛應用及研究的I C P電漿源, 而我們這裡所研究的DPS系統亦屬於ICP 電漿源的一種, DPS系統為一種擁有兩個RF功率產生器的機台, 它們可分別被獨立控制, 而不影響彼此的功能, 我們取十片Wafer分別在不同的條件下進行蝕刻, 取得蝕刻率及均勻度, 並依此製作出L9表, 我們分析L9表, 並歸納出機台的蝕刻特性和參數調控的機制o 本論文最後, 我們列出一些重要製程參數對蝕刻製程的影響並製作出表, 以作為製程Recipe調變的指南o