Abstract
藉著電子顯微鏡的技術，我們探討在電子槍蒸鍍鉑薄膜時，改變矽基底的溫度，而對鉑與矽晶界面反應的影響。由於在蒸鍍時，改變基底的溫度，會造成各鉑矽化物的形成活化能有不同的改變，因而使得最初形成的中間產物有所改變。我們發現在高溫蒸鍍時（大約500 ℃）鉑會馬上與矽基底反應，形成一片具有強烈優選方向的高溫相雙鉑化矽（β-PT□Si）單晶，其和矽基底間的方向關係是：（0001）β-PT□Si╱（111）Si2〔1100〕]-PT□Si╱〔011〕Si。隨著在蒸鍍時矽基底溫度的降低，低溫相雙鉑化矽（α-PT□Si）逐漸取代高溫相成為最初形成的中間相。試片蒸鍍後，置於氮氣氛中，在300?900℃回火不同的時間，我們發現最後的穩定相均是矽化鉑，其和高溫相雙鉑化矽與矽基底間，維持著一定的方向性。（010）PT□Si╱β-PT□Si（0001）╱Si（111）〔002〕PT□Si╱β-PT□Si〔1100〕╱Si〔100〕，但如果矽化鉑的厚度太大時（大約400 A左右 ），其很難再維持這優選的方向了。在整個反應過程中，氧污染的問題，將會影響到最終反應是否完全。