Abstract
本研究利用固相磊晶法在矽晶上成長磊晶MoSi及WSi。在（１１１），（００１） 和（０１１）矽晶片上共有八個不同模式的h－MSi（M代表Mo和W）磊晶成長，基於晶體的對稱性，不同變體（variant ）的磊晶亦被觀察到。本論文並分析及討論在矽化物和矽之間的界面上，其原子排列模型和界面結構之間的關係。發現某些磊晶出現的頻率並不能單獨由晶體匹配差（lattice mismatch）來預測，而必須考慮到磊晶和基座界面間之化學能。在MoSi和WSi的磊晶成長中，pseudo-morphism出現在小和負的晶體匹配差，此現象並影響界面差排組織與磊晶原子中之非簡諧（anharmonic）力影響異質磊晶生長的預測符合。MoSi和WSi 的結構，性質及磊晶生長現象均經分別描述及討論，本論文並探討磊晶矽化物的未來研究展望。