Abstract
本研究係利用穿透式電子顯微鏡從正面和橫截面來觀察高溫金屬和矽晶之間的反應情形，同時也利用歐傑電子分析儀來偵測金屬膜中雜質的含量以及反應時界面成份的變化。在本論文中的研究大致可分為三大部分：(一)高溫金屬矽化物的生成與成長對佈植射程末端缺陷之消除，(二)矽晶中佈植雜質 (如磷、砷、硼和氟化硼) 的存在對鉬金屬矽化物生成之影響，以及(三)高溫金屬與矽單晶界面非晶質夾層之形成與成長。在本研究中發現高溫金屬矽化物晶粒成長時所放出之空孔對於佈植射程末端之缺陷的消除具有相當顯著的效果，同時亦發現P 型雜質佈植之缺陷較N 型者難消除，其間的差別也被加以探討。佈植離質的存在對於鉬金屬矽化物的生成有相當顯著的影響，其可促進矽化物晶粒的成長，可使矽化物和矽晶界面變得平整，同時可提升高溫時矽化物在矽晶表面的覆蓋率，此外磷的存在對於鉬金屬矽化物的磊晶成長也有相當的促進作用。非晶質夾層的形成在高溫金屬和矽晶的界面均被發現，而且它們均具有相似的成長行為，它們之間的相異點，如非晶質夾層成長的最大厚度，活化能，熱穩定性以及非晶形成的條件等在論文中亦被詳加探討。