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高能電子射柱內的輻射污染
Thesis

高能電子射柱內的輻射污染

陳明興
Masters, National Tsing Hua University
1985

Abstract

電子電子射柱軸射污染輻射污染
本文將深討直線加速系統的電子射柱,經空氣介質,散射系統與準直儀元件碰撞所導致的低能量,大散射角度的二次電子雷射,對假體表面的百分深度劑量的影響。本文共使用三套蒙特卡羅遷移程式,分別為ETRAN、MORSE-E、MORSE-H程式。先算出電子射柱與準直儀元件作用後的能量與散射角度分佈,再計算3、7、11百萬電子伏特的電子射柱,照射在水壓克力假體止一等百分深度劑量分佈,並與實驗直相比較。

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