Abstract
Inconel７１８在HsSO ，HNO ，HCl，NaCl，NaNO ，中均可被蝕刻，以金屬表面之平滑性及尺寸之精確性而言，H SO 最適於金屬表面之成型加工。在此一系統中SO及H 離子濃度均會影響蝕刻速率。在active－passive region中，Inconel ７１８之陽極極化現象我們採用適當之反應機構加以描述，得到良好之結果。同時也發現當H＋離子濃度增加時，active region有明顥增加之趨。劫至於SO 離子之濃度效應則無一定之脈絡可循。在transpassive region 中，SO 離子扮演電子傳導之角色，當濃度高於０．５N 時即達到steady state狀態，而H 在電位０．９－１．０５ V 之範圍中，蝕刻速率隨H 離子濃度之增加而降低，我們亦採用了一適當之反應機構來加以描述，在一定電位下電流密度與離子濃度之關係可以表示成１╱i＝４．８×１０ exp（－０．０５０３ v）╱〔OH 〕＋７９１５２９６ exp）－０．０１６８ v）＋３．１×１０exp（－０．０７０４ v）〔ＯＨ 〕 之關係式。在電位１．０５－１．９ V之範圍中，因為反應速率決定步驟之轉移，蝕刻速率隨Ｈ離子濃度之增加而增加，其關係遵循ｉ＝０．５１２ exp（０．００２９ v）＋０．１６ exp（０．００４７ v）〔Ｈ 〕之型式。在transpassive region 中因Ｈ 離子濃度之不同所得兩個性質相反之區域，我們可以從反應機構得知其原因在於速率決定步驟（rate determine step ）之轉變，因而展現不同之現象。比較電解蝕刻與化學蝕刻我們得知，電解蝕刻有蝕刻速率較快及尺寸精確之優點。