Abstract
利用一個致性的數學模式可分析在高電子遷移率電晶體（HEMT）內界面二維電子雲（２－DEG） 的濃度分佈。在計算機中使用疊代法可得到近似解。在本研究中將討論傳統的單異質接合（SINGLE HETERO－STRUCTURE）HEMT內二維電子雲的波函數，濃度分佈以及電子的特徵能量。閘極對二維電子雲的影響亦將加以探討，進而預估其電氣特性，如通道電流Id及互導Gm。這些結果將與實際實驗比較。兩種改良的結構亦將加以討論。這兩種結構為雙異質接合（DOUBLE HETEROSTRUCTURE）HEMT和脈衝摻雜（PULSE－DOPED）HEMT二者都較單異質接合HEMT更俱優良特性：較高的互導及更寬的操作範圍。本文不考慮實際材料晶格匹配的問題，計算中所使用的參數亦以砷化鎵╱砷化鎵鋁等之晶格匹配的材料系統為主。根據目前研究的結果，知脈衝摻雜HEMT俱較寬之操作範圍，互導高，電子不易與雜質作用，是一種特性相當好的元件。