Abstract
厚度約為400 ?600A的銀、鈷、鉻、銅、錳、鉬及鎳的單層薄膜和鈷╱銀、鉻╱銀、銅╱銀及錳╱銀雙層系統經真空蒸鍍至矽基座上。電流密度約10?100 μA ，Cm-2的高電流砷離子束用以轟擊這些試樣。由氦離子反向散射能譜的分析顯示，金屬與矽間的互混已被發現而和佈植劑量有關的混合亦已被指出。從這些實驗的結果我們相信：由高電流離子束轟擊所產生的加熱效應在矽化物的生成方面扮演顯著的角色；金屬本身的熱力學性質亦是不容忽視的因素。某些超飽合狀態亦被發現。
- Title
- 高電流離子束引發的界面混合與薄膜反應
- Translated title
- 高電流離子束引發的界面混合與薄膜反應
- Creators
- 簡正忠 (Author)
- Contributors
- 楊銀圳 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English