Abstract
隨著摩爾定律的發展下，元件在每個世代備受著物理極限的挑戰，為了維持摩爾定律的壽命，世界各地的學術界或工業界正不斷地尋找下適合下一世代的材料或結構。 碳元素在人類發展史上扮有舉足輕重的地位，它雖然在地表中的含量不比矽元素高，但是在基礎生命的演化、燃料能源的發展甚至到人類文明發展上都幾乎是由碳元素所構成。碳在元素週期表排行第6順位，最外層的價電子數有四個，可構成的同素異形體有很多，自然界中最常見的同素異形體為石墨和鑽石，其它像是富勒烯、奈米碳管或石墨烯等，都是隨著人類科技的發展而陸續被發現。 自從2004年英國曼徹斯特大學Andre Geim及Konstantin Novoselove將石墨烯藉由黏貼的方式從高定向熱裂解石墨(HOPG)轉移到氧化矽基板，成功的開啟二維材料在下一世代應用性，也由於石墨烯本身優越的光學性、可撓曲性和高速的載子遷移性，更在未來的軟性電子的發展上備受眾人矚目。 本論文利用石墨稀本身高載子遷移性以及搭配特殊製程的閘極氧化層，成功地在軟性基板PET上製作高頻寬的元件，而本論文研究成果也將有助於未來軟性電子的發展。