Abstract
本實驗室已成功的利用磁光陷阱（Magneto-Optical Trap: MOT）與都卜勒冷卻法（Doppler Cooling），於10-8 torr 下可以捕捉到108個溫度約10-4K的原子，其生命期只有2-3秒〔4〕。由於使用磁光陷阱捕捉銣原子的方法，在更低的壓力下將無法嗇加捕捉的原子數與生命期。所以本論文使用黑暗型磁光陷阱（Dark Spot Magneto-Optical Trap: Dark MOT）增加將可降低磁光陷阱中原子的損失機制，預期可以使得生命期增加數十倍。 本實驗利用兩檯輸出波長在780nm的半導體雷射，冷卻與捕捉87Rb原子。我們已可以獲得穩定的營光訊號，此訊號由被捕捉原子所發出。然而在黑暗型磁光陷阱部份，尚未完成所有數據的測量。目前，僅測得於10-10 torr下的亮原子生命期3秒，如此間接可知暗原子的生命期為11.8秒。由磁光陷阱實驗中可知，本實驗室可以繼續將壓力降低到3x10-11 torr，生命期將可以變為156秒。換言之，本實驗室使用此機制獲得低壓力（10-11 torr）的低溫銣原子，生命期將可以超過100秒以上。 本論文第一章將詳述磁光陷阱中原子的損失機制，與黑暗型磁光陷阱的基本原理。第二草將詳述磁光陷阱與黑暗型磁光陷阱的實驗裝置。第三章為實驗進行的步驟與數據。第四章為整個實驗的結論與未來的展望。