Abstract
本研究包括(1) BF□□離子植入[111] 方向之矽晶片後，做兩段式退火的效應(2) BF□□－As□或BF□□－P □利用離子植入的方法做成約3 微米大小的二極體，其施行退火處理後的性質，並研究在 P－N 界面的結構。對植入BF□□離子的[111] 矽晶片，其退火後的主要晶體缺陷為差排，實驗發現，兩段式退火對降低差排的密度並沒有明顯的效用。而對另一些區域如(1) 單一佈植As□離子區(2) 雙重佈置 5×10□□P □及 1×10□□BF□□區(3) 雙重佈值 5×10As□及 1×10□□BF□□等三區，其退火後的主要缺陷為雙晶，實驗證明，兩段式退火對於降低雙晶的密度有很明顯的效果，又因雙晶密度降低，差排消失的障礙減少，故差排密度亦因而降低。[100] 方向之矽晶片雙重植入 5×10□□BF□□－ 1×10□□As□或 5×10BF□□－ 1×10□□P □，退火後均有雙晶生成。雙晶經分析為四個[111] 面上之主雙晶及12種次雙晶。