Abstract
Hg1-x CdxTe 為很好的紅外線偵測器材料，然其本身卻包含有很多的缺陷，而這些缺陷的出現，常會造成捕獲中心，或甚至於改變半導體的型，所以一定要先能明瞭這些缺陷，才能製造出好的偵則元件。本論文採用Sp3S* 模型，此模型最大的優點為能普遍適用於各種半導體，所以可以用預測新半導體的性質，但它也有不精確的缺點。所以，本文亦想看看，是否可提高Sp3S* 模型的精確性。結果發覺，在缺陷位能中加上庫侖力的修正後，可以更進一步的確認汞空缺能產生P型能階，而對於其他雜質的取代所造成的影響，則需要一些更精確的計算與實驗資料的配合。另外，同時訇證明了Sp3S* 模型，可以在加上適當的修正後，提高一些精確性。