Abstract
我們的實驗是對於汞鎘碲磊晶組成成份，能間隙、移動率和溫度等做一簡單的敘述，並以離子佈植的方法，將B+、P+植入晶片、製造n-p 界面，然後再以霍爾測試，I-V曲線，以及掃描式電子顯微鏡做分析。結果顯示，經過佈植的Hg0.8Cd0.2Te/CdTe 已能成功的測得n-p 界面的存在，依照本實驗設計的實驗步驟製造出的元件，具有FET 的特性，降溫至77°K 時所測得背景雜訊小於0.1 μA ，加光源照射，其光電流在4V為16μA ，由此一口知本實驗確已將Hg0.8Cd0.2Te/CdTe製成對光具有高靈敏度的元件。