Abstract
摘要 本篇研究延續羅皓覺（１９９８）"ＩＣ製程裡曝光誤差的非線性迴歸模式"，探討在ＩＣ製程中曝光誤差模式的參數估計過程裡，如何選取量測點可使估計參數值的變異降到最低。 本研究中，先將誤差的非線性模式用線性模式來近似，再用 Elfving's Method 的幾何方式來解決線性迴歸模式中，如何選取最佳檢測點的問題，並對本研究選出之最佳設計量測點所縮小的變異和時間與德□半導體公司現行的做法做一比較。 研究結果為變易 ( Determinaqnt ) 縮小 6 ％ （1.1843081e0-13 => 1.1083568e0-13 ) ， 檢測時間減少 32 ％ ( 25點 => 17點 )。