Abstract
利用雷射誘發螢光法和間質隔離法的結合技術，偵測到（一）Ｓ2 分子波長在350?500m間的B-X 躍遷之螢光光譜和在328?308 nm 間的激發光譜；（二）Ｓ2 分子的電子能階躍遷在紅光及近紅外光區產生的四組譜線。由Ｓ2 分子B-X 躍遷的螢光譜寬變化和激發能階的間隔不規性，發現B 能階碓實受到Ｂ”能階的干擾。在530 ?991 nm間的四組譜線中有兩組係首次測得，根據其譜線強度及形狀隨取樣閘寬和雷射波長變化的情形， 並配合文獻資料初步推論由短波長向波長依為c-X ，A' -X，c-a 和A -a電子能階的躍遷光譜。