- 題名
- Direct Integration of Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxide as Top-Gate High−κ Dielectrics for Two-Dimensional Transistors
- 創作者：
- Yen-Fu LinChe-Yi Lin - National Yang Ming Chiao Tung UniversityBo-Cia ChenYu-Chen LiuShang-Fu Kuo - National Chung Hsing UniversityHsien-Chi Tsai - National Chung Hsing UniversityYuan-Ming ChangChang-Yang KuoChun-Fu Chang - Max Planck Institute for Chemical Physics of SolidsJyun-Hong ChenYing-Hao Chu - National Yang Ming Chiao Tung UniversityMahito Yamamoto - Kansai UniversityChang-Hong Shen - 國立清華大學, 半導體研究學院Yu-Lun Chueh - 國立清華大學, 半導體研究學院Po-Wen Chiu - 國立清華大學, 半導體研究學院Yi-Chun ChenJan-Chi Yang - National Cheng Kung University
- 出版者
- Springer Nature
- 學術資源類型
- 期刊文章
- 出版日期
- 25/06/2025
- 出版資訊
- Research Square
- 語言
- 英語
期刊文章
Direct Integration of Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxide as Top-Gate High−κ Dielectrics for Two-Dimensional Transistors
Research Square
25/06/2025
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