Mercury Ion Sensing Using Aptamer-Modified Extended Gate Field-Effect Transistors and a Handheld Device

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Mercury Ion Sensing Using Aptamer-Modified Extended Gate Field-Effect Transistors and a Handheld Device

ECS Journal of Solid State Science and Technology, 卷.12(7)

07/2023

DOI: https://doi.org/10.1149/2162-8777/ace0d9

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題名: Mercury Ion Sensing Using Aptamer-Modified Extended Gate Field-Effect Transistors and a Handheld Device
創作者：: 玉麟王 (作者)
學術資源類型: 期刊文章
出版日期: 07/2023
出版資訊: ECS Journal of Solid State Science and Technology, 卷.12(7)
語言: 英語