Abstract
本發明提供一種CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法，藉由精確蝕刻的雙端自由樑結構，可以高良率製程提供具有窄間隙(<500nm)的CMOS-MEMS諧振換能器，此外，透過設置在諧振主體底部的氮化鈦材料層，可有效降低因靜電導致的頻率偏移，本發明還適用於各式尺度之CMOS-MEMS平台製程，提供製程以及結構設計上的靈活性。
- Title
- CMOS-MEMS諧振換能器及其製造方法
- Creators - without role
- 昇憲 李 - 國立清華大學工學院動力機械工程學系李銘晃陳昭瑜昇憲 李 - 國立清華大學工學院動力機械工程學系
- Identifiers
- 9957788036506774
- Academic Unit
- Institute of NanoEngineering and Microsystems, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I562224
- Date application
- 30/01/2016