Abstract
一種可以高速寫入的P通道快閃記憶體裝置。利用矽化鍺合金或純鍺等半導體材料取代傳統P通道快閃記憶的矽通道,並以帶對帶穿遂誘發熱電子(Band to Band Tunneling Induced Hot Electron,BBHE)的寫入機制來操作此元件裝置,進而提高P通道快閃記憶體的寫入速度。此外,選擇性地形成單晶矽磊晶層於矽化鍺合金或純鍺通道之上,來改善P通道快閃記憶之穿遂氧化層與含鍺通道間的介面性質。矽化鍺合金與純鍺等材料應用於P通道快閃記憶體,除可高速操作外,亦可於低電壓操作,並維持相同的寫入速度。