Abstract
本發明之主要目的係提供一種製備V-VI族半導體之奈米片狀陣列結構之方法，包含下列步驟：提供一包含氫離子的電解液，並於該電解液中設置一輔助電極以及一工作電極，其中該工作電極包含一V-VI族半導體塊材；以及在該輔助電極與該工作電極施加一氧化還原偏壓，以於該V-VI族半導體塊材上形成一奈米片狀陣列結構。
- Title
- V-VI族半導體之奈米片狀陣列結構之製備方法
- Creators - without role
- 郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系蔡鴻偉詹宗晟郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系
- Identifiers
- 9957787707506774
- Academic Unit
- Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I500825
- Date application
- 02/05/2013