Abstract
本發明係提供一種內建式記憶體電流測試電路，用以為一置於一晶片上之待測記憶體進行測試，包括一內建式自我測試電路以及一動態電流產生模組。該內建式自我測試電路係設置於該晶片上，用以對外接收並處理一測試訊號，並產生一控制訊號以控制該待測記憶體之操作以及產生一電流控制命令碼。該動態電流產生模組亦設置於該晶片上，其係接收該電流控制命令碼，以根據該電流控制命令碼產生一測試電流至該待測記憶體。該內建式記憶體電流測試電路可縮減之測試電流切換時間，因而可執行一結合功能測試與壓力測試之綜合性測試。
- Title
- 內建式記憶體電流測試電路
- Creators - without role
- 財團法人工業技術研究院吳誠文張永嘉羅崑崙何榮基蘇錦榮
- Identifiers
- 9957787560506774
- Academic Unit
- College of Electrical Engineering and Computer Science
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I267086; I267086
- Date application
- 30/12/2005