Abstract
本揭露提供一種具有薄層層析之拉曼檢測晶片及分離檢測分析物之方法。該具有薄層層析之拉曼檢測晶片包含一矽基底，包含一第一部份及配置於該第一部份之上的複數奈米線，其中每一奈米線具有一頂端表面及一側壁；以及，一金屬層覆蓋該奈米線的頂端表面及至少部份側壁，其中該奈米線之總長度L為5μm至15μm。該金屬層覆蓋的該奈米線側壁之長度L1與該奈米線之總長度L的比為0.2至0.8。
- Title
- 具有薄層層析之拉曼檢測晶片及分離檢測分析物之方法
- Creators - without role
- 大任 嚴 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系黃致豪大任 嚴 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系李璧伸林鼎晸
- Identifiers
- 9957788082306774
- Academic Unit
- Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I634329
- Date application
- 21/11/2017