Abstract
一种具热稳定性的自旋轨道扭力式磁性随存储存器，包含一基板及一设置于基板并具一磁性自由层的自旋轨道扭力式记忆胞。该磁性自由层包括一铁磁性的第一金属膜、接触该第一金属膜且分别呈反铁磁性与自旋霍尔效应的第二、三金属膜。该第一金属膜具有介于0.5‑1.5nm间的第一厚度。第二金属膜具有一足以对磁性自由层提供有一交换偏移场HEB且大于6nm的第二厚度。HEB是在沿该第一金属膜的一难轴对该磁性自由层同时提供有一外加磁场及一交流脉冲电讯号以达该交流脉冲电讯号所产生的一临界电流密度时所形成。该第二金属膜是未经垂直场退火与非经垂直场镀膜所构成的一IrMn合金膜。该磁性自由层本质上在该达临界电流密度时具一矫顽场(HC)，且|HEB|>|HC|