Abstract
一種具高密度雙晶的奈米銅導線製造方法，先提供一模板，該模板具有一表面、一底面及複數個貫穿該表面與該底面的通孔，該通孔具有一小於55nm的孔徑，接著，令該模板置於一含銅電鍍液，並且在一低於室溫之低溫以一脈衝電流進行一電沉積製程，使該通孔內形成一具有雙晶結構的奈米銅導線，由於使用該脈衝電流，可使銅離子產生堆疊錯誤的機會增加，搭配於該低溫下進行，可有助於進一步增加雙晶晶種之成核位置，因此，該奈米銅導線將具有較高的雙晶密度，得有效提升該奈米銅導線抑制電致遷移之能力。
- Title
- 具高密度雙晶的奈米銅導線的製造方法
- Creators - without role
- 郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系建能 廖 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系詹宗晟林彥妙郁倫 闕 - 國立清華大學工學院材料科學工程學系
- Identifiers
- 9957787540306774
- Academic Unit
- Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I454422
- Date application
- 12/04/2012