Abstract
本發明主要提供一種利用奈米壓印技術在聚合物壓電性材料上形成高深寬比的奈米柱的方法，包含：將一聚合物壓電性材料的表面加熱至一壓印溫度，該壓印溫度大於(Tc-25)℃且小於Tc，其中，Tc為該聚合物壓電性材料的居禮溫度；及使用一具有奈米柱結構的模板對該聚合物壓電性材料的表面進行奈米壓印以在該聚合物壓電性材料的表面上產生高深寬比的奈米柱結構。本發明也提供一種由此方法所製作的聚合物壓電性材料。
- Title
- 利用奈米壓印技術在聚合物壓電性材料上形成高深寬比的奈米柱的方法
- Creators - without role
- 健中 洪 - 國立清華大學工學院動力機械工程學系黃聖淵健中 洪 - 國立清華大學工學院動力機械工程學系
- Identifiers
- 9957788037106774
- Academic Unit
- Department of Power Mechanical Engineering, College of Engineering, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I466819
- Date application
- 27/04/2011