Abstract
本發明提出一種動態隨機存取記憶體，係具有碳化矽區及碳鍺化矽摻雜區。由於碳化矽區能提供較高的能帶隙可減少漏電流，可減少下電極的深度，進一步增加記憶胞對位元線的電容比。另一方面，碳化矽區，可減少接面漏電流的現象。因此，可以效延長資料保存時間。
- Title
- 動態隨機存取記憶體及其製造方法
- Creators - without role
- 茂德科技股份有限公司巫勇賢
- Identifiers
- 9957787777606774
- Academic Unit
- Tsing Hua College
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I238495; I238495
- Date application
- 29/10/2004