Abstract
本發明提供一種生成石墨烯之方法，能將單層或多層石墨烯直接生成於介電材質上。此方法包括以下步驟：將一介電材質及一金屬設置於一反應器；通入一反應氣體至反應器，且反應氣體經加熱裂解；以及直接沈積一薄膜於介電材質之一表面上。其中，此方法所成長之石墨烯具有高品質低缺陷的特性，免除蝕刻與轉移的步驟，極具潛力整合於生醫、電子、光電元件之應用。
- Title
- 化學氣相沈積生成石墨烯之方法
- Creators - without role
- 博文 邱 - 國立清華大學電機資訊學院電機工程學系鄧博元林永昌博文 邱 - 國立清華大學電機資訊學院電機工程學系
- Identifiers
- 9957787489306774
- Academic Unit
- Institute of Electronics Engineering, College of Electrical Engineering and Computer Science, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I434949
- Date application
- 14/03/2012