Abstract
一种氮基半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一应变补偿层和第一保护层。第二氮基半导体层设置在第一氮基半导体层上，并且具有的带隙大于第一氮基半导体层的带隙。源极电极和漏极电极设置在第二氮基半导体层上方。栅极电极设置在源极电极和漏极电极之间。第一应变补偿层设置在第二氮基半导体层之上方并且在漏极电极和栅极电极之间。第一保护层覆盖第一应变补偿层以形成第一界面，其中第一界面和第二氮基半导体层之间的垂直距离沿着从栅极电极往漏极电极的方向增加。