Abstract
在此提供一種半導體內連線結構及其製造方法。所述半導體內連線結構包括一阻障金屬層、一銅金屬層與一化合物薄膜。所述阻障金屬層形成於一互連線溝槽上，所述銅金屬層形成於阻障層上，而所述化合物薄膜形成於銅金屬層的表面，其中化合物薄膜含有有機銅與非晶碳。因此，這種半導體內連線結構具有降低電阻率的效果。
- Title
- 半導體內連線結構及其製造方法
- Creators - without role
- 博文 邱 - 國立清華大學電機資訊學院電機工程學系梁正庸葉昭輝博文 邱 - 國立清華大學電機資訊學院電機工程學系
- Identifiers
- 9957787970206774
- Academic Unit
- Institute of Electronics Engineering, College of Electrical Engineering and Computer Science, National Tsing Hua University
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I573208
- Date application
- 23/07/2015