Abstract
一種半導體化合物，包含金屬錯合物單元以及共軛單元。金屬錯合物單元包含一配位中心及複數個配位基，配位中心為一金屬離子或一金屬原子，所述配位基與配位中心連接。共軛單元與金屬錯合物單元共價結合。藉此，當半導體化合物分散於溶液系統中，可避免增加溶液系統的毒性。
- Title
- 半導體化合物之用途
- Translated title
- Use Of Semiconductor Compound
- Creators
- 國立清華大學 (Patent applicant)Ho-Hsiu Chou - National Tsing Hua University, College of Semiconductor Research之勵 張 (Inventor)韋澄 林 (Inventor)
- Application code
- TWN
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I749335
- Application number
- 108122435
- Date application
- 26/06/2019
- Date published
- 01/01/2021
- Date issued
- 11/12/2021
- Language
- Traditional Chinese