Abstract
本發明揭示一種整合冗餘修正技術及錯誤修正碼技術之半導體記憶體及其錯誤修正方法。該錯誤修正方法首先從一第一記憶體陣列之預定記憶單元讀取一包含複數個資訊位元及至少一檢查位元之資料，再根據該檢查位元檢查該資訊位元是否錯誤，其中若該資訊位元錯誤，則根據該檢查位元修正錯誤後將該資料寫回該預定記憶單元。之後，重覆上述讀取-檢查-寫回步驟一預定循環次數，若該資訊位元仍錯誤則將該預定記憶單元標示為不可使用，並將該資料寫至一第二記憶體陣列。
- Title
- 半導體記憶體及其錯誤修正方法
- Creators - without role
- 誠文 吳 - 國立清華大學電機資訊學院電機工程學系誠文 吳 - 國立清華大學電機資訊學院電機工程學系蘇錦榮葉怡婷
- Identifiers
- 9957787729006774
- Academic Unit
- College of Electrical Engineering and Computer Science
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Patent
- Patent
- I289851
- Date application
- 04/05/2005