Abstract
一種單次寫入多次讀取（Write-Once-Read-Many-times, WORM）記憶體及其製造方法，主要係由連續沉積之Al2O3/Si/Ge/Al2O3與一隨後之退火製程形成嵌入Al2O3之SiGe奈米晶體結構，並通過透射電子顯微鏡（TEM）與能量散佈分析儀（EDS）所確認。通過應用-10V/1s脈衝，從Si基板注入大量之電洞將被儲存在SiGe奈米晶體中，結果相較初始狀態，其電流在+1.5 V可增加104倍。即使以一個較小-5V/1μs脈衝，仍可獲得一個足夠大之電流比為36，驗證可低功耗操作。由於電洞存儲在奈米晶體中經由Al2O3從Si基板隔離而具有良好之完整性且相當於在Al2O3一大價帶之補償，理想之讀取壽命能力可達105次與超過100年之優秀持久性。結合這些很有前景之特性，WORM記憶體裝置係適用於高性能歸檔儲存應用。